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IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
14
Figure 7. Gate Charge
10000
Figure 8. Capacitance Curves
12
10
8
6
4
Vds=300V
I D =16A
I G =10mA
1000
Ciss
Coss
Crss
F = 1MHz
2
0
0
50
100
150
200
250
100
0
5
10
15
20
25
100
80
60
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
V GS = 0V
V DS - Volts
40
T J =125 O C
20
T J =25 O C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
0.40
0.20
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
10 -3 10 -2
0.01
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
10 -1
10 0
10 1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
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